منصة التحكم المعتمدة على SiC Mosfet

من الضروري للغاية استخراج وتقييم محاثة الحلقة بدقة، بحيث تأخذ هذه الحالة البنية النموذجية للمحول عالي التردد الكهربائي ككائن وتؤسس نموذجاً مكافئاً للدائرة.

تحليل وضع منصة التحكم المعتمدة على SiC Mosfet

يوضح الشكل التالي (1-a) مخطط الدائرة الرئيسي لمحول (DC / DC) ثنائي الاتجاه، بما في ذلك مكثف الدعم (Cdc) ومكثف دعم الحث الطفيلي (Ldc) وقضيب ناقل مكدس (Lbus) ووحدة طاقة (SiC) متوازية ومحث مرشح (Lb) ومكثف مرشح (Cb ،Ld1) هو (SiC) الحث الطفيلي النموذجي.

كما تأخذ هذه الحالة البنية النموذجية لمحول (DC / DC) الموضح في الشكل (1-b) ككائن وتبني منصة الاختبار الموضحة في الشكل (1- c) لاستخراج الحث الشارد من حلقة طاقة المحول، بما في ذلك جهد التيار المستمر (VDC) ودعم السعة (Cdc1 ،Cdc2) ودعم الحث الطفيلي السعة (Ldc1 ،Ldc2) وشريط ناقل (Lbus) الرقائقي ومحاثة الحمل (Lload) و (DUT).

كما يتم تحديد الجهاز قيد الاختبار من وحدة الطاقة نصف الجسر (CAS300M17BM2) من (Cree) ومكثف الدعم ووحدة الطاقة متصلان بقضيب توصيل، بحيث يتبنى قضيب التوصيل هيكلًا مصفحاً ويتم عكس التيار بين الألواح الموجبة والسالبة، مما يؤدي إلى إلغاء المجال المغناطيسي وتقليل محاثة القضبان.

ومن أجل تقليل تحريض الحلقة بشكل أكبر، كما يمكن توصيل مكثفات الامتصاص بالتوازي في المنافذ الإيجابية والسلبية لجهاز الطاقة، كما يتم توصيل مكثف الامتصاص ومكثف الدعم وجهاز الطاقة بقضيب الناقل من خلال البراغي، لذلك يتم دعم طرف إدخال التيار المباشر بواسطة مكثفات داعمة على التوازي، وأثناء الاختبار، بحيث يتم إيقاف طرفي مصدر بوابة الأنبوب العلوي عن طريق الضغط السلبي.

كما أن طريقة الاختبار هي طريقة اختبار النبض المزدوج التقليدية، بحيث يوضح الشكل التالي (2) مخطط توقيت اختبار النبضة المزدوجة. بعد ضغط الجهاز قيد الاختبار لتحقيق الاستقرار، وفي الوقت (t0)، كما يتم تشغيل (SiC MOSFET) لأول مرة ويرتفع تيار التصريف، وفي أول إيقاف في الوقت (t1)، بحيث يعمل معدل التغيير الحالي (di / dt) على محاثة طائشة في الحلقة ويشكل ارتفاعاً.

شاهد أيضاً

قياس ترهل خطوط القدرة الكهربائية باستخدام بيانات الاستشعار

الأهمية من قياس ترهل خطوط القدرة الكهربائية الخطوط العلوية هي العمود الفقري لكل نظام نقل …